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美國EOS砷化銦InAs光電探測(cè)器（1.0um-3.8um）
美國EOS砷化銦InAs光電探測(cè)器（1.0um-3.8um）:簡(jiǎn)介：在室溫的條件下，該產(chǎn)品具有很高的靈敏度，還有一些附件支持，如濾光片（長波濾光片和帶通濾光片）、前置放大器、光纖連接器。這些器件可應(yīng)用在工業(yè)的控制系統(tǒng)、氣體分析、熱傳感器以及光纖測(cè)試設(shè)備。
產(chǎn)品時(shí)間：2016-08-25
訪問量：1685
美國EOS砷化銦InAs光電探測(cè)器（1.0um-3.8um）:
簡(jiǎn)介：在室溫的條件下，該產(chǎn)品具有很高的靈敏度，還有一些附件支持，如濾光片（長波濾光片和帶通濾光片）、前置放大器、光纖連接器。這些器件可應(yīng)用在工業(yè)的控制系統(tǒng)、氣體分析、熱傳感器以及光纖測(cè)試設(shè)備。
美國EOS砷化銦InAs光電探測(cè)器（1.0um-3.8um）
室溫條件下:
型號(hào) | InAs-010 | InAs-020 |
Active Diameter (mm) | 1.0 | 2.0 |
Operating Temperature (℃) | 22 | 22 |
Operating Wavelength(μm) | 1.0-3.4 | 1.0-3.4 |
Shunt Resistance (Ω)typ | ≥15 | ≥10 |
Shunt Capacitance (pF),typ | 400 | 1200.nom |
NEP @1.3μm (W/Hz1/2) | 33x10-12 | 5.5x10-11 |
Responsivity(A/W) | 1.0 @3.2μm | 0.8 typ |
二級(jí)制冷條件下:
型號(hào) | InAs-010-TE2_TO8 | InAs-020-TE2_TO8 |
Operating Temperature (℃) | -30 | -30 |
Responsivity(A/W) | 1.4 min@3.2μm | 1.5 |
Shunt Resistance (Ω) | 500 | 100 |
Shunt Capacitance (pF) | 450 | 1200 |
Thermistor Resistance (KΩ) | 40.0typ | 40.0typ |
Cooler Current(A) | 0.65TYP | 0.65TYP |
Max Cooler Current (A) | 1.25 | |
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